第一百七十二章：碳基芯片

看着虚拟屏幕上的二级任务奖励，韩元的喉结动了动，情不自禁的咽了下口水。

翻身，起立，他飞奔回书房打开电脑，从网上搜索着有关芯片相关的信息。

【碳基芯片、仿生机器人、元宇宙、超时空音乐会……云栖大会即将开幕，将重磅发布核心技术。】

【碳基芯片成华威救命稻草，华威主动公开专利，引发华米碳基芯片对决。】

【硅基芯片即将到达极限？台积电再传好消息，我国早已布局。】

【硅基芯片物理极限是七纳米，为何台积电却依然能做出五纳米的芯片?】

【硅基光电子与微电子单片集成研究进展.......】

网页上，一条又一条和芯片有关的信息映入韩元眼中。

十余分钟后，他终于放下了鼠标，身体往后一倒，靠在椅背上。

硅基芯片有另外一个名字，叫做‘硅基光电子集成芯片’。

从命名来看，这个‘碳基集成电路板’几乎可以确认属于集成芯片中的概念。

只是不知道这个集成电路能达到一个什么样的地步？

能不能突破硅基芯片极限？

对于这个，韩元很是期待。

要知道，传统的硅基芯片是有极限的。

这是物理极限，由硅原子和硅晶格的直径决定的，硅原子的直径是纳米，但硅晶格的直径是纳米左右。

当硅基芯片突破1nm之后，量子隧穿效应将使得“电子失控”，芯片就完全失效。

准确的说，传统的硅基芯片在5nm，甚至7nm以下，就已经存在量子隧穿效应了。

但后面科学家通过不断的更换晶体管的材料来打破这个极限。

世界上最小的晶体管是栅极长度为1纳米的二硫化钼。

但无论再怎么更换晶体管的材料，硅基底的物理特性摆在了哪里。

也就是说，硅基半导体材料的极限注定在一纳米这个数字上。

低于一纳米，穿梭在晶体管中的电子会直接击穿硅基底的晶格结构，从而造成电子乱串。

这也就是所谓的‘量子隧穿效应’，亦是硅基芯片的极限。

然而这也只是理论，实际上由于物理所限，硅基芯片技术能做到两纳米几乎是极限了，硅基管不能再小了。

一纳米，那几乎就是黑科技。

所以芯片如果想要再进一步发展，那么寻找其他的材料来替换硅半导体这是必须的。

有关碳基芯片的消息，韩元也是知道一些的。

毕竟前些年的时候网络上闹的轰轰烈烈的。

什么碳基芯片弯道超车。

什么硅基芯片被强制垄断，我国发展碳基芯片，打破西方全线围堵。

各种有关的消息在网上遍地都是，他又不是村里刚通2g网。

当时的他还没有毕业，对于这种东西还是挺感兴趣的。

毕竟真要能研制出来碳基芯片这种东西，那华国的腾飞将是注定的，谁也无法阻止。（本章未完，请翻页）

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